TN0200K-T1-E3
PDF資料下載

TN0200K-T1-E3參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 730MA SOT23-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：730mA
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 600mA，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 50µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：2nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：350mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）